DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory
— синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи
данных, тип 3) — это тип оперативной памяти используемой в компьютерах, разработанный
как последователь DDR2 SDRAM.
DDR3 обещает сокращение потребления энергии на 40% по сравнению с модулями DDR2,
благодаря применению 90-нм (в дальнейшем 65-нм и 50-нм) технологии производства,
что позволяет снизить эксплуатационные токи и напряжения (1,5 В, по сравнению с
1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR). "Dual-gate" транзисторы будут использоваться для
сокращения утечки тока.
Чипы и модули
|
Стандартное название
|
Частота памяти
|
Время цикла
|
Частота шины
|
Передач данных в секунду
|
Название модуля
|
Пиковая скорость передачи данных
|
|
DDR3-800
|
100 МГц
|
10.00 нс
|
400 МГц
|
800 млн
|
PC3-6400
|
6400 МБ/с
|
|
DDR3-1066
|
133 МГц
|
7.50 нс
|
533 МГц
|
1066 млн
|
PC3-8500
|
8533 МБ/с
|
|
DDR3-1333
|
166 МГц
|
6.00 нс
|
667 МГц
|
1333 млн
|
PC3-10600
|
10667 МБ/с
|
|
DDR3-1600
|
200 МГц
|
5.00 нс
|
800 МГц
|
1600 млн
|
PC3-12800
|
12800 МБ/с
|
|
DDR3-1800
|
225 МГц
|
4.44 нс
|
900 МГц
|
1800 млн
|
PC3-14400
|
14400 МБ/с
|
|
DDR3-2000
|
250 МГц
|
4.00 нс
|
1000 МГц
|
2000 млн
|
PC3-16000
|
16000 МБ/с
|
|
DDR3-2133
|
266 МГц
|
3.75 нс
|
1066 МГц
|
2133 млн
|
PC3-17000
|
17066 МБ/с
|
|
DDR3-2400
|
300 МГц
|
3.33 нс
|
1200 МГц
|
2400 млн
|
PC3-19200
|
19200 МБ/с
|
Возможности DDR3 SDRAM компонентов:
- Появление контакта асинхронного сброса
- Support of system level flight time compensation
- Встроенная калибровка портов ввода/вывода
- Калибровка READ и WRITE DDR3 модулей:
- Определение адресов и команд непосредственно в контроллере модуля (fly-by)
- Высокоточные резисторы в цепях калибровки
Преимущества по сравнению с DDR2:
- Более высокая полоса пропускания (до 2400 МГц)
- Увеличенная эффективность при малом энергопотреблении (более длительное время работы
батарей в ноутбуках)
- Улучшенная конструкция, способствующая охлаждению
Недостатки по сравнению с DDR2:
- Обычно более высокая CAS-латентность, но компенсируемая
высокой полосой пропускания, таким образом увеличивающаяся полная производительность
в определённых приложениях
