Bestor's Logo
(812) 303-90-91, sales@bestor.spb.ru
[ Вход ]

Типы оперативной памяти: DDR4 SDRAM

Обзоры
Разделы
Типы оперативной памяти
DDR4 SDRAM
DDR4 SDRAM

DDR4 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, тип 4) — это тип оперативной памяти используемой в компьютерах, разработанный как последователь DDR3 SDRAM.

Память DDR3 постепенно приближается к пределу своих возможностей в условиях которая требуется более высокая производительность и скорость работы, поэтому производители подготовили новое поколение памяти DDR SDRAM. Производство новых модулей памяти началось в конце 2014 года; они обеспечивают повышенную производительность, увеличенную емкость DIMM и пониженное энергопотребление.

DDR4 достигает скорости передачи данных до 2Гбит/с на контакт и потребляет меньше энергии, ч ем DDR3L (DDR3 с низким энергопотреблением), обеспечивая до 50% роста производительности и скорости, пониженное напряжение и мощность всей вычислительной среды. Новая технология имеет ряд преимуществ по сравнению с предыдущими стандартами и позволяет экономить до 40% энергии.

В дополнение к оптимизированной производительности и более эффективному энергопотреблению память DDR4 также выполняет циклические проверки с избыточностью (CRC) для обеспечения повышенной надежности хранения данных, имеет встроенную функцию контроля нарушения четности для проверки целостности передачи команд и адресов, обеспечивает повышенную целостность сигнала и другие функции RAS.

DDR3 vs DDR4
Подробная описание модулей памяти DDR4
Описание DDR3 DDR4 Преимущество
Плотность размещения микросхем 512Мбит-8Гбит 4Гбит-16Гбит Повышенная емкость DIMM
Скорость передачи данных 800Мбит/с–2133Мбит/с 1600Мбит/с –3200Мбит/с Переход к повышенной скорости ввода-вывода
Напряжение 1,5В 1,2В Пониженное энергопотребление памяти
Стандарт низкого напряжения Да (DDR3L при 1,35В) Ожидается 1,1В Снижение мощности памяти
Внутренние банки 8 16 Другие банки
Группы банков (BG) 0 4 Более быстрый произвольный доступ
Входы VREF 2 – DQ и CMD/ADDR 1 – CMD/ADDR Внутренний VREFDQ
tCK – с функцией DLL 300МГц – 800МГц 667МГц – 1,6ГГц Повышенная скорость передачи данных
tCK – без DLL 10МГц – 125МГц (дополнительно) 10МГц – 125МГц (дополнительно) Полная поддержка работы без DLL
Задержка чтения AL + CL AL + CL Увеличенные значения
Задержка записи AL + CWL AL + CWL Увеличенные значения
Драйвер DQ (ALT) 40Ω 48 Ω Оптимально подходит для применения в PtP
Шина DQ SSTL15 POD12 Пониженный шум и мощность ввода-вывода
Значения RTT (Ом) 120, 60, 40, 30, 20 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 Поддержка повышенной скорости передачи
RTT не допускается Произвольное чтение Отключается при произвольном чтении Простота использования
Режимы ODT Номинальный, динамический Номинальный, динамический, парковка Дополнительный режим управления; изменение значения OTF
Управление ODT Требуется передача сигналов ODT НЕ требуется передача сигналов ODT Простота управления ODT; допускается маршрутизация без ODT, применение для PtP
Многоцелевой регистр Четыре регистра – 1 заданный, 3 RFU Четыре регистра – 3 заданных, 1 RFU Обеспечивает дополнительное специальное чтение
Типы DIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM  
Контакты DIMM 240 (R, LR, U); 204 (SODIMM) 288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)  
RAS ECC CRC, четность, адресуемость, GDM Дополнительные функции RAS; увеличенная целостность данных
 
Следует учесть, что существуют различия между модулями DDR3 и DDR4, которые делают их несовместимыми.
Отличия DDR4 от DDR3
Разница в установочных пазах Ключи DDR3 vs DDR4 Расположение паза модуля DDR4 отличается от расположения паза модуля DDR3. Оба паза расположены на стороне вставки модуля, но расположение паза DDR4 немного отличается, чтобы предотвратить установку в несовместимую плату или платформу.
Увеличенная толщина Толщина DDR3 vs DDR4 Модули DDR4 немного толще DDR3, потому что содержат больше сигнальных слоев.
Изогнутый край Изогнутый край DDR4 Модули DDR4 имеют изогнутый край, что упрощает процесс установки модуля и снижает давление на печатную плату при вставке модулей памяти.
 

При подготовке этой статьи использованы материалы с сайта компании Kingston ».


Дата публикации: 21.11.2014